何謂蝕刻(Etch)?
　　答：將形成在晶圓表面上的薄膜全部，或特定處所去除至必要厚度的制程。
　　蝕刻種類:
　　答：(1)干蝕刻(2)濕蝕刻
　　蝕刻對象依薄膜種類可分為:
　　答：poly,oxide,metal
半導(dǎo)體中一般金屬導(dǎo)線材質(zhì)為何?
　　答：鵭線(W)/鋁線(Al)/銅線(Cu)
　　何謂dielectric 蝕刻(介電質(zhì)蝕刻)?
　　答：Oxideetch and nitride etch
　　半導(dǎo)體中一般介電質(zhì)材質(zhì)為何?
　　答：氧化硅/氮化硅
　　何謂濕式蝕刻
　　答：利用液相的酸液或溶劑;將不要的薄膜去除
　　何謂電漿Plasma?
　　答：電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài).帶有正,負(fù)電荷及中性粒子之總和;其中包含電子,正離子,負(fù)離子,中性分子,活性基及發(fā)散光子等,產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓。
　　何謂干式蝕刻?
　　答：利用plasma將不要的薄膜去除
　　何謂Under-etching(蝕刻不足)?
　　答：系指被蝕刻材料，在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留
　　何謂Over-etching(過蝕刻 )
　　答：蝕刻過多造成底層被破壞
　　何謂Etchrate(蝕刻速率)
　　答：單位時間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度
　　何謂Seasoning(陳化處理)
　　答：是在蝕刻室的清凈或更換零件后，為要穩(wěn)定制程條件，使用仿真（dummy）晶圓進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán)。
Asher的主要用途:
　　答：光阻去除

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Wet bench dryer 功用為何?
　　答：將晶圓表面的水份去除
　　列舉目前Wetbench dry方法:
　　答：(1)Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry
　　何謂Spin Dryer
　　答：利用離心力將晶圓表面的水份去除
　　何謂Maragoni Dryer
　　答：利用表面張力將晶圓表面的水份去除
　　何謂IPA Vapor Dryer
　　答：利用IPA(異丙醇)和水共溶原理將晶圓表面的水份去除
　　測Particle時,使用何種測量儀器?
　　答：TencorSurfscan
　　測蝕刻速率時,使用何者量測儀器?

答：膜厚計,測量膜厚差值
　　何謂AEI
　　答：AfterEtching Inspection 蝕刻后的檢查
　　AEI目檢Wafer須檢查哪些項目:
　　答：(1)正面顏色是否異常及刮傷(2) 有無缺角及Particle(3)刻號是否正確
　　金屬蝕刻機(jī)臺轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺時應(yīng)如何處理?
　　答：清機(jī)防止金屬污染問題
　　金屬蝕刻機(jī)臺asher的功用為何?
　　答：去光阻及防止腐蝕
　　金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進(jìn)行清洗?
　　答：因為金屬線會溶于硫酸中
　　'Hot Plate'機(jī)臺是什幺用途?
　　答：烘烤
　　Hot Plate 烘烤溫度為何?
　　答：90~120度C
　　何種氣體為PolyETCH主要使用氣體?
　　答：Cl2,HBr, HCl
　　用于Al 金屬蝕刻的主要?dú)怏w為
　　答：Cl2,BCl3
　　用于W金屬蝕刻的主要?dú)怏w為
　　答：SF6
　　何種氣體為oxidevai/contact ETCH主要使用氣體?
　　答：C4F8,C5F8, C4F6
　　硫酸槽的化學(xué)成份為:
　　答：H2SO4/H2O2
　　AMP槽的化學(xué)成份為:
　　答：NH4OH/H2O2/H2O
　　UV curing 是什幺用途?
　　答：利用UV光對光阻進(jìn)行預(yù)處理以加強(qiáng)光阻的強(qiáng)度
　　'UV curing'用于何種層次?
　　答：金屬層
　　何謂EMO?
　　答：機(jī)臺緊急開關(guān)
　　EMO作用為何?
　　答：當(dāng)機(jī)臺有危險發(fā)生之顧慮或已不可控制,可緊急按下
　　濕式蝕刻門上貼有那些警示標(biāo)示?
　　答：(1)警告.內(nèi)部有嚴(yán)重危險.嚴(yán)禁打開此門(2) 機(jī)械手臂危險. 嚴(yán)禁打開此門 (3) 化學(xué)藥劑危險. 嚴(yán)禁打開此門
　　遇化學(xué)溶液泄漏時應(yīng)如何處置?
　　答：嚴(yán)禁以手去測試漏出之液體. 應(yīng)以酸堿試紙測試. 并尋找泄漏管路.
　　遇IPA 槽著火時應(yīng)如何處置??
　　答：立即關(guān)閉IPA輸送管路并以機(jī)臺之滅火器滅火及通知緊急應(yīng)變小組
　　BOE槽之主成份為何?
　　答：HF(氫氟酸)與NH4F(氟化銨).

BOE為那三個英文字縮寫 ?
　　答：BufferedOxide Etcher 。
　　有毒氣體之閥柜(VMB)功用為何?
　　答：當(dāng)有毒氣體外泄時可利用抽氣裝置抽走,并防止有毒氣體漏出
　　電漿的頻率一般13.56MHz,為何不用其它頻率?
　　答：為避免影響通訊品質(zhì),目前只開放特定頻率,作為產(chǎn)生電漿之用,如380~420KHz ,1
3.56MHz,2.54GHz等
　　何謂ESC(electricalstatic chuck)
　　答：利用靜電吸附的原理, 將 Wafer 固定在極板(Substrate) 上
Asher主要?dú)怏w為
　　答：O2
Asher機(jī)臺進(jìn)行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何?
　　答：溫度
　　簡述TURBOPUMP 原理
　　答：利用渦輪原理,可將壓力抽至10-6TORR
　　熱交換器(HEATEXCHANGER)之功用為何？
　　答：將熱能經(jīng)由介媒傳輸,以達(dá)到溫度控制之目地
　　簡述BACKSIDEHELIUM COOLING之原理？
　　答：藉由氦氣之良好之熱傳導(dǎo)特性,能將芯片上之溫度均勻化
ORIENTER 之用途為何？　
　　答：搜尋notch邊,使芯片進(jìn)反應(yīng)腔的位置都固定,可追蹤問題
　　簡述EPD之功用
　　答：偵測蝕刻終點;Endpoint detector利用波長偵測蝕刻終點
　　何謂MFC？
　　答：massflow controler氣體流量控制器;用于控制反應(yīng)氣體的流量
GDP 為何?
　　答：氣體分配盤(gasdistribution plate)
GDP 有何作用？
　　答：均勻地將氣體分布于芯片上方
　　何謂isotropic etch?
　　答：等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率均等
　　何謂anisotropic etch?
　　答：非等向性蝕刻;側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率少
　　何謂etch 選擇比?
　　答：不同材質(zhì)之蝕刻率比值
　　何謂AEICD?
　　答：蝕刻后特定圖形尺寸之大小,特征尺寸(CriticalDimension)

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 何謂CDbias?

　　答：蝕刻CD減蝕刻前黃光CD
　　簡述何謂田口式實驗計劃法?
　　答：利用混合變因安排輔以統(tǒng)計歸納分析
　　何謂反射功率?
　　答：蝕刻過程中,所施予之功率并不會完全地被反應(yīng)腔內(nèi)接收端所接受,會有部份值反射掉,此反射之量,稱為反射功率

Load Lock 之功能為何?
　　答：Wafers經(jīng)由loadlock后再進(jìn)出反應(yīng)腔,確保反應(yīng)腔維持在真空下不受粉塵及濕度的影響.
　　廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Bulk Gas ?
　　答：BulkGas 為大氣中普遍存在之制程氣體, 如 N2, O2, Ar 等.
　　廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂Inert Gas?
　　答：InertGas 為一些特殊無強(qiáng)烈毒性的氣體, 如 NH3, CF4, CHF3, SF6 等.
　　廠務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂Toxic Gas ?
　　答：ToxicGas 為具有強(qiáng)烈危害人體的毒性氣體, 如 SiH4, Cl2, BCl3 等.
　　機(jī)臺維修時,異常告示排及機(jī)臺控制權(quán)應(yīng)如何處理?
　　答：將告示牌切至異常且將機(jī)臺控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動作
　　冷卻器的冷卻液為何功用 ?
　　答：傳導(dǎo)熱
Etch之廢氣有經(jīng)何種方式處理 ?
　　答：利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽
　　何謂RPM?
　　答：即RemotePower Module,系統(tǒng)總電源箱.
　　火災(zāi)異常處理程序
　　答：(1)立即警告周圍人員. (2) 嘗試 3 秒鐘滅火. (3) 按下EMO停止機(jī)臺. (4) 關(guān)
閉VMB Valve 并通知廠務(wù). (5) 撤離.
　　一氧化碳(CO)偵測器警報異常處理程序
　　答：(1)警告周圍人員. (2) 按 Pause 鍵,暫止 Run 貨. (3) 立即關(guān)閉 VMB 閥,并通
知廠務(wù).(4) 進(jìn)行測漏.
　　高壓電擊異常處理程序
　　答：(1)確認(rèn)安全無慮下,按 EMO鍵(2) 確認(rèn)受傷原因(誤觸電源,漏水等)(3) 處理受傷人員
T/C(傳送TransferChamber) 之功能為何 ?
　　答：提供一個真空環(huán)境, 以利機(jī)器手臂在反應(yīng)腔與晶舟間傳送 Wafer,節(jié)省時間.
　　機(jī)臺PM時需佩帶面具否
　　答：是,防毒面具
　　機(jī)臺停滯時間過久run貨前需做何動作
　　答：Seasoning(陳化處理)
　　何謂日常測機(jī)
　　答：機(jī)臺日常檢點項目, 以確認(rèn)機(jī)臺狀況正常
　　何謂WAC(Waferless Auto Clean)
　　答：無wafer自動干蝕刻清機(jī)
　　何謂DryClean
　　答：干蝕刻清機(jī)
　　日常測機(jī)量測etch rate之目的何在?
　　答：因為要蝕刻到多少厚度的film,其中一個重要參數(shù)就是蝕刻率
　　操作酸堿溶液時,應(yīng)如何做好安全措施?
　　答：(1)穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護(hù)目鏡(2) 操作區(qū)備有清水與水管以備不時之需(3)操作區(qū)備有吸酸棉及隔離帶
　　如何讓chamber達(dá)到設(shè)定的溫度?
　　答：使用heater和 chiller Chiller之功能為何?
　　答：用以幫助穩(wěn)定chamber溫度
　　如何在chamber建立真空?
　　答：(1)首先確立chamberparts組裝完整(2) 以dry pump作第一階段的真空建立(3)當(dāng)圧力到達(dá)100mTＤ寺再以turbopump 抽真空至1mT以下
　　真空計的功能為何?
　　答：偵測chamber的壓力,確保wafer在一定的壓力下 process Transfermodule 之robot 功用為何?
　　答：將wafer傳進(jìn)chamber與傳出chamber之用
　　何謂MTBC?(mean time between clean)
　　答：上一次wet clean 到這次wet clean 所經(jīng)過的時間
RFGenerator 是否需要定期檢驗?
　　答：是需要定期校驗;若未校正功率有可能會變化;如此將影響電漿的組成
　　為何需要對etch chamber溫度做監(jiān)控?
　　答：因為溫度會影響制程條件;如etching rate/均勻度
　　為何需要注意dry pump exhaust presure (pump 出口端的氣壓)?
　　答：因為氣壓若太大會造成pump 負(fù)荷過大;造成pump 跳掉,影響chamber的壓力,直接影響到run貨品質(zhì)
　　為何要做漏率測試? (Leak rate )
　　答：(1) 在PM后PUMP Down 1~2小時后;為確保chamber Run 貨時,無大氣進(jìn)入chamble 影響chamber GAS 成份(2) 在日常測試時,為確保chamber 內(nèi)來自大氣的泄漏源,故需測漏。
　　機(jī)臺發(fā)生Alarm時應(yīng)如何處理?
　　答：(1)若為火警,立即圧下EMO(緊急按鈕),并滅火且通知相關(guān)人員與主管(2) 若是一般異常,請先檢查alarm訊息再判定異常原因,進(jìn)而解決問題,若未能處理應(yīng)立即通知主要負(fù)責(zé)人
　　蝕刻機(jī)臺廢氣排放分為那幾類?
　　答：一般無毒性廢氣/有毒酸性廢氣排放
　　蝕刻機(jī)臺使用的電源為多少伏特(v)?
　　答：208V三相
　　干式蝕刻機(jī)臺分為那幾個部份?
　　答：(1)Load/Unload 端 (2) transfer module (3) Chamber process module (4)真空系統(tǒng)(5) GAS system (6) RF system